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DMG4800LSD
2.0
1.6
20
16
T A = 25°C
1.2
0.8
0.4
I D = 250μA
I D = 1mA
12
8
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
8
1,000
C iss
6
I D = 9A
100
C oss
C rss
4
2
10
0
5 10 15 20 25
30
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
100,000
10,000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
T A = 150°C
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Total Gate Charge
1,000
T A = 125°C
100
T A = 85°C
10
1
T A = -55°C
T A = 25°C
0
5 10 15 20 25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
DMG4800LSD
Document number: DS31858 Rev. 6 - 2
4 of 6
www.diodes.com
March 2013
? Diodes Incorporated
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